LED lietojumprogrammas raksti
1, Viena lādētāja efektivitāte un LED gaismas avots lampas gaismas efektivitātes sastāvam Kāda ir atšķirība?
Piemēram, LED, kā arī priekšējās nobīdes nosacījumi, piemēram, plus IF = 20 mA priekšējā strāva (atbilst VF ≈ 3.4 V), izmērītā radiācijas plūsma Φ = 1.2 lm, tad LED lūmeni. Efektivitāte ir:
Η = 1,2 lm × 1000 / 3,4 V × 20 mA = 1200/68 ≈ 17,6 lm / W
Acīmredzot attiecībā uz vienu gaismas diode, piemēram, uzliekamo elektroenerģiju Pe = VF × IF, tad mērītā gaismas plūsma pie šīs jaudas tiek pārveidota, lai gaismas caurlaidība uz vatu ir viena LED gaismas caurlaidības efektivitāte.
Tomēr kā ierīce, neatkarīgi no LED PN savienojuma faktiskās jaudas VF × IF, cik daudz lukturu jauda vienmēr ir luktura ieejas porta ievades jauda, kas ietver strāvas daļu (piemēram, regulētājus, AC taisngriezi līdzstrāvas barošana utt.). Uzstādē piedziņas shēmas klātbūtne lumena efektivitāti ir zemāka nekā viena gaismas diode. Jo lielāks ir ķēdes zudums, jo zemāka ir gaismas efektivitāte, tāpēc ārkārtīgi svarīgi ir atrast augstas efektivitātes LED vadītāja ķēdi.
2, vai nu zils LED, kas ir pārklāts ar īpašu fosforu, kas sastāv no balta LED, radiācijas plūsma vairāk nekā reizes vai pat desmit reizes pārsniedz zilo gaismu?
No priekšpuses mēs jau zinām, kāda metode ir izgatavota ar baltu LED, no kuras viena ir zilajā LED gaismas diodes mikroshēmā, kas pārklāta ar YAG fosfora slāni, daļu no zilā fotona ierosinātā YAG fosfora, gaismas konversijas veidošanās, fluorescences pulvera ir satraukti lai iegūtu dzeltenus fotonus, zilu gaismu un dzeltenu gaismu, kas sajaukti baltajā gaismā, kļūst balti LED. Šī gaismas kombinācija dažādos viļņu garumos pēc gaismas konversijas palielinās tā spektru, un baltajiem LED parasti ir daudz plašāks spektrs nekā LED zilā gaismas spektram. Baltai LED ar zilu mikroshēmu un YAG fosforu cilvēka acs vizuālajai funkcijai jābūt integrētai dažādu viļņu garuma komponentu vizuālās funkcijas vidējam rādītājam salīdzinājumā ar melnbaltā LED, kuru var aprēķināt aptuveni par 296 lm, Tas nozīmē, ka šis baltais LED, izstarojot gaismas jaudu 1W baltajā gaismā, starojuma plūsma ir apmēram 296lm, šī vērtība nekā gaismas jaudas emisija 1W zilā gaismas diodes izstarotā plūsma 41 palielinās par 7,2 reizes.
3, Kāda ir LED savienojuma temperatūra? Kā tas radīja
LED pamatstruktūra ir pusvadītāju PN savienojums. Eksperimenti rāda, ka tad, kad strāvas plūsma caur LED ierīci, PN savienojuma temperatūra pieaugs, stingri sakot, lai PN savienojuma temperatūra tiek definēta kā LED savienojuma temperatūra. Parasti tāpēc, ka ierīces mikroshēmā ir ļoti mazs izmērs, tādēļ mēs varam izmantot arī LED mikroshēmas temperatūru kā savienojuma temperatūru.
Substrāta loga slānis vai materiāla krustojums un vadītspējīga sudraba plastmasa, tāpēc ir noteikta pretestības vērtība, katras citas bāzes pretestības vērtība veido LED sērijas pretestību. Ja strāva plūst cauri PN savienojumam, bet arī ar šiem rezistoriem, kas arī rada Jouer siltumu, izraisot mikroshēmas temperatūru vai krustojuma temperatūras paaugstināšanos; LED mikroshēmas materiāli ap apkārtmēru ar daudz lielāku atstarošanas indeksu, tā ka lielākā daļa mikroshēmā radītās gaismas nevar vienmērīgi pārpildīt saskarni, un mikroshēma un multivides saskarne rada pilnīgu atspoguļojumu, atpakaļ mikroshēmā un caur to iekšējo atstarojumu skaits, ko galu galā absorbē mikroshēmas materiāls vai pamatne, un režģu vibrācija Kļūsti karsti, lai veicinātu krustojuma temperatūras paaugstināšanos.
4, W hy LED PN savienojuma temperatūras paaugstināšanās izraisīs tā fotoelektrisko parametru degradāciju?
PN savienojums kā piemaisījumu pusvadītājs savā darba procesā, tāpat pastāv piemaisījumu jonizācija, iekšējā ierosme, piemaisījumu izkliedēšana un režģu izkliedēšana un citi jautājumi, lai savienojums pārietu fotonu skaitam un efektivitātei. Ja PN savienojuma temperatūra (piemēram, apkārtējā temperatūra) palielinās, piemaisījumu jonizācija PN savienojumā tiek paātrināta un paātrinātais iekšējais ierosinājums. Ja kompozītmateriāla nesēja koncentrācija, ko rada iekšējā ierosināšana, ievērojami pārsniedz piemaisījumu koncentrāciju, iekšējo nesējvielu skaita pieauguma ietekme ir daudz nopietnāka nekā pusvadītāja pretestība ar kustību traucējumiem, efektivitāte samazinās, temperatūras pieaugums un svins samazināt pretestību, tādējādi samazinot to pašu IF, VF. Ja jūs neizmantojat pastāvīgu strāvas avotu LED vadīšanai, tad VF piliens palielinās IF indeksu, šis process padarīs LED PN savienojuma temperatūras paaugstināšanos ātrāk, galīgā temperatūras paaugstināšanās pārsniegs maksimālo savienojuma temperatūru, kā rezultātā LED PN savienojuma mazspēja, kas ir pozitīvas atsauksmes ļaunais process.
PN savienojuma temperatūras paaugstināšanās, tā ka pusvadītāju PN savienojums ierosinātās elektronu caurumu rekombinācijas stāvoklī no augsta enerģijas līmeņa līdz zemas pārejas periodam, kad notiek fotonu emisijas degradācija. Tas ir saistīts ar PN savienojuma temperatūras paaugstināšanos, pusvadītāju režģu amplitūda palielinās, tāpat arī enerģijas vibrācija, kad tā pārsniedz noteiktu vērtību, palielina elektronu atveri no ierosinātā stāvokļa pārejas uz zemes stāvokli atpakaļ uz režģu (Or ion) enerģijas apmaiņu, tā kā nefotonu starojuma pāreja, LED optiskā degradācija.
Turklāt PN savienojuma temperatūras paaugstināšanās rada arī jonizācijas piemaisījuma jonu veidošanos režģu laukā piemaisījumu pusvadītājā, lai izraisītu jonu enerģijas līmeņa sadalīšanos. Enerģijas līmeņa sadalījumu ietekmē PN savienojuma temperatūra, kas nozīmē, ka režģa vibrācija mainās tā režģa lauka simetrija, kā rezultātā enerģijas līmenis tiek sadalīts, kā rezultātā elektroniskā pāreja rodas spektra izmaiņu laikā, kas ir gaismas diožu gaismas emisijas viļņa garums ar PN krustojuma temperatūras paaugstināšanās iemeslu dēļ.
Apvienojumā ar iepriekš minēto LEN PN savienojuma temperatūras paaugstināšanās var izraisīt tā elektriskās, optiskās un siltuma veiktspējas izmaiņas, pārāk augsts temperatūras pieaugums izraisīs LED materiālu (piemēram, epoksīda, fosfora utt.) Izmaiņas fizikālajās īpašībās, lai samazinātu PN savienojuma temperatūras paaugstināšanos, ir galvenais LED lietojums.
5, W hy palielināt gaismas efektu var samazināt krustojuma temperatūru?
Parasti vienības ieejas jauda, ko ģenerē optiskā enerģija, ko sauc par fotoelektrisko konversijas efektivitāti, dēvē par vieglo efektivitāti. Saskaņā ar likumu par enerģijas saglabāšanu, LED ieejas jauda tiks atbrīvota, izmantojot divu veidu gaismas un siltuma, jo augstāka gaismas efektivitāte mazāk siltuma, jo mazāks LED mikroshēmas temperatūras pieaugums, kas ir uzlabot gaismas efektivitāti var samazināt krustojuma temperatūras pamatjēdzienu.
6, H ow panākt LED aptumšošanu, krāsu?
Tā kā LED gaismas intensitāte IV (vai optiskā starojuma plūsma) un tā darba strāva IF noteiktā strāvas diapazonā bija apgabala attiecības, tas ir, ar pašreizējo IF pieaugumu, IV arī palielinās, tādēļ mainīt LED IF, jūs varat mainīt tā gaismas intensitāte, lai panāktu aptumšošanu.
Ar krāsainības principu var zināt, ka, ja sarkanās, zaļās un zilās primārās krāsas sajaukšanai, atbilstošā trīs galveno krāsu spilgtuma attiecību kombinācijā, teorētiski var iegūt daudzas krāsas, kuras var izmantot trīs veidu gaismas izstarojošus viļņu garuma LED , kamēr Piemēram: 470 nm (zils), 525 nm (zaļš) un 620 nm (sarkans) no trim LED viļņa garumiem, izmantojot apgaismojumu un IF kontroli, jūs varat panākt krāsu kontroli, tas ir, krāsu.
7, W cepure ir statisks bojājums? Kāda veida gaismas diodes ir jutīgas pret elektrostatiskajiem bojājumiem, kas izraisa neveiksmi?
Statiskā elektrība faktiski sastāv no maksas uzkrāšanas. Cilvēki savā ikdienas dzīvē, it īpaši sausos laika apstākļos, kad roka pieskaras durvīm un logiem, sajutīs "elektrisko triecienu", kas ir logi un durvis, kas uz cilvēka ķermeņa izlādes uzkrājas zināmā mērā statiskā elektrībā. " Vilnas audumiem, neilona ķīmisko šķiedru izstrādājumiem, statiskās elektrības uzkrāšanās var būt pat 10 000 voltu, spriegums ir ļoti augsts, bet statiskā jauda nav liela, tā nav dzīvībai bīstama, bet dažām elektroniskām ierīcēm var būt letāla ietekme, izraisot ierīces kļūmi.
LED GN ar ierīces sastāvu, jo tas ir platleņķa šūnu pusvadītāju materiāls, tā augstā pretestība, ForGaN / AlGaN / GaN dubultās heterojuzes zilās gaismas LED, InGaN aktīvā slāņa biezums parasti ir tikai daži desmit nanometri, un pēc tam pateicoties diviem pozitīvajiem un negatīvajiem elektrodiem vienā mikroshēmas pusē, attālums starp diviem ir ļoti mazs, ja statiskā lādiņa abos galos uzkrāta līdz noteiktai vērtībai, statiskais spriegums būs PN sadalījums, noplūde palielinās, nopietns PN krustojums bojājuma īssavienojums, LED kļūme.
Pateicoties elektrostatisko draudu esamībai, LED šķeldas un ierīču apstrādei iekārtas, mašīnas, instrumenti, iekārtas, ieskaitot darbinieku apģērbu, lai veiktu antistatiskos pasākumus, lai nodrošinātu LED bojājumus, struktūras dēļ. Turklāt mikroshēmā un ierīces iepakojumā tiek izmantots arī antistatisks materiāls.
Karstie produkti: 150W jaudas augsts lajs , pielāgota lineārā gaisma , IP67 lampas , LED kabineta lampas , uz virsmas uzmontēts stingrs bārs , LED spuldzes
