Ilīnaja Universitāte pie Urbana-Champaign pētniekiem ir izstrādājusi jaunu pieeju, lai uzlabotu zaļo LED spilgtumu un uzlabotu tā efektivitāti.
Profesors Can Bayram, Ilinoisas Universitātes elektrotehnikas un datortehnikas docents, ir izstrādājis jaunu pieeju, lai uzlabotu zaļo gaismas diodes spilgtumu un efektivitāti. (All Avots: Ilinoisas Universitāte)
Izmantojot nozares standarta pusvadītāju ilgu kristālu tehnoloģiju, pētnieki izgatavoja gallija nitrīda (GaN) kristālus uz silīcija virsmām, kas ražo lieljaudas zaļo gaismu cietvielu apgaismojumam.
"Šis ir revolucionārais process, kurā pētniekiem ir izdevies ražot jaunus izejmateriālus ar regulējamu CMOS silīcija procesu, kas ir kvadrātveida gallija nitrīds (kubiskais GaN)," teica Can Bayram, Ilinoisas Universitātes elektrotehnikas un datortehnikas profesora asistents . ) Šis materiāls tiek izmantots galvenokārt zaļās viļņu garuma emitētājam.
Pusvadītāju izmantošana sensitīvā un komunikācijas nolūkos, lai atvērtu redzamās gaismas sakaru lietojumprogrammas, un optiskā komunikācija ir tehnoloģija, lai pilnībā mainītu gaismas pielietojumu. Gaismas diodes, kas atbalsta CMOS procesus, var panākt ātru, efektīvu, mazjaudas un daudzu lietojumu zaļo gaismas diodes, vienlaikus novēršot daudzu procesa ierīču izmaksas.
Parasti GaN veido vienu vai divas kristāla struktūras, sešstūrainas vai kubs. Sešstūrains GaN ir termiski stabils un ir tradicionāls pusvadītāju pielietojums. Tomēr hexagonal GaN ir vairāk tendētas uz polarizācijas parādība, iekšējais elektriskais lauks būs negatīvs elektroni un positroni atdalīti, lai novērstu to no savienošanas, kā rezultātā gaismas izvades efektivitāti.
Līdz šim pētnieki var izmantot tikai molekulārā starojuma epitaksiju (molekulārā starojuma epitaksija), lai izveidotu kvadrātveida GaN, šis process ir ļoti dārgs un, salīdzinot ar MOCVD procesu, ir ļoti laikietilpīgs.
Pētniekiem ir izdevies ražot jaunus izejmateriālus uz noskaņotā CMOS silīcija procesa, kas ir kvadrātveida gallija nitrīds, kas galvenokārt tiek izmantots zaļās viļņu garuma starojuma starojumam.
Bayram teica: "litogrāfija un izotropiska sintēžu tehnika rada silīcijā esošas U rindas rievas. Šim nevadošajam barjeras slānim ir galvenā loma, veidojot heksagonālu uz laukumu. Mūsu GaN nav iekšējais Elektriskā lauks var nošķirt elektronus, tāpēc var būt ir pārklāšanās problēmas, elektroni un caurumi ir ātrāk apvienoti un izgatavoti no gaismas.
Bayram un Liu uzskata, ka to kvadrātveida GaN kristāli var sasniegt, lai LED varētu sasniegt nulles kritumu (droop). Zaļās, zilās vai UV gaismas diodēs šo gaismas diožu gaismas efektivitāte pakāpeniski samazināsies, pateicoties strāvas, tā saucamās gaismas atteices ievadam.
Šis pētījums parāda, ka polarizācijai ir izšķiroša nozīme gaismas atteices problēmu risināšanā, izspiežot elektronus prom no rievām, it īpaši zemu ieejas strāvu gadījumā. Nulles polarizācijas gadījumā kvadrātveida LED var sasniegt biezāku gaismas izstarojošo slāni un atrisināt samazinātu elektronu un rievu pārklāšanos un strāvas pārslodzi.
Labāks zaļais LED varēs veiksmīgi atvērt jaunus LED cietvielu apgaismojuma lietojumus. Piemēram, šie gaismas diodes izstaro balto gaismu, sajaucot un panākot enerģijas ietaupījumu. Citas progresīvas lietojumprogrammas ietver arī fluorescējošu zaļo gaismas diožu ražošanu, izmantojot super-paralēlu LED lietojumu, ūdens komunikāciju un, piemēram, optisko ģenētiku un migrēnu un citus biotehnoloģijas pielietojumus.
http://www.luxsky-light.com
Saistītie vārdi:
IP65 LED paneļi , UL LED paneļi , LED profila gaisma , LED lineāra augšanas gaisma , augsts lauru gaisma, lineārā komerckā apgaismojums
